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中科院苏州纳米所刘建平团队研制GaN基绿光激光器性能再突破!

类别:行业新闻发表于:2021-12-29 12:19

摘要:在最 新一期的SCIENCE CHINA Materials上,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平团队发表了关于GaN基绿光激光二极管(LD)的研究进展。

在最 新一期的SCIENCE CHINA Materials上,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平团队发表了关于GaN基绿光激光二极管(LD)的研究进展。


文章采用各种光学测量手段对绿光LD结构和芯片进行了表征。(文章信息:Tian, A., Hu, L., Li, X. et al. Greatly suppressed potential inhomogeneity and performance improvement of c-plane InGaN green laser diodes. Sci. China Mater. (2021). http://doi.org/10.1007/s40843-021-1804-x)

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表征的结果显示,激发功率密度为7 W cm−2时, 300 K下光致发光半高宽为108 meV, 电流密度为20 A cm−2时, 电致发光半高宽为114 meV, 这些研究结果表明势能均匀性得到了显著改善。同时, 由变温光致发光测试得到的表征局域态分布宽度的σ值和由时间分辨光致发光测试得到的表征激子局域带尾态的E0值都很小, 进一步表明势能均匀性很好。由于势能均匀性的极大改善, 实现了斜率效率0.8W A −1, 输出光功率可以达到1.7 W的绿光LD芯片。

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此外,刘建平团队还在2021年11月8日举行的第四届宽禁带半导体学术会议上报道了GaN蓝光激光器研究成果。在前期工作基础上,通过采用倒装芯片技术和低热阻封装结构,大幅提高了连续工作的蓝光激光器的光输出功率,其封装热阻为6.7 K/W,连续工作输出光功率达到7.5 W。

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来源:半导体照明网

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